Iċ-ċeramika tal-karbur tas-silikon (SiC) għandha karatteristiċi eċċellenti bħal reżistenza qawwija għall-ossidazzjoni, reżistenza tajba għall-ilbies, ebusija għolja, stabbiltà termali tajba, saħħa fit-temperatura għolja, koeffiċjent żgħir ta 'espansjoni termali, konduttività termali għolja, reżistenza għal xokk termali u reżistenza għall-korrużjoni kimika. Għalhekk, diġà kellha rwol kbir fil-pitrolju, l-industrija kimika, il-makkinarju, l-ajruspazju, l-enerġija nukleari u oqsma oħra, u hija dejjem aktar stmata min-nies. Pereżempju, iċ-ċeramika SiC tista 'tintuża bħala berings varji, blalen, żennuni, siġilli, għodod tal-qtugħ, xfafar tat-turbini tal-gass, rotors turbocharger, skrins li jirriflettu u kisi tal-kamra tal-kombustjoni rokit.
Il-proprjetajiet eċċellenti taċ-ċeramika SiC huma relatati mill-qrib mal-istrutturi uniċi tagħhom. SiC huwa kompost b'rabta kovalenti qawwija, u l-joniċità ta 'bond Si-C f'SiC hija biss madwar 12 fil-mija. Għalhekk, SiC għandu qawwa għolja, modulu elastiku kbir u reżistenza eċċellenti għall-ilbies. SiC pur mhux se jitnaqqar minn soluzzjonijiet aċidi bħal HCl, HNO3, H2SO4 u HF u soluzzjonijiet alkali bħal NaOH. L-ossidazzjoni hija faċli li sseħħ meta tissaħħan fl-arja, iżda SiO2 iffurmat fuq il-wiċċ se jinibixxi t-tixrid ulterjuri ta 'ossiġnu waqt l-ossidazzjoni, għalhekk ir-rata ta' ossidazzjoni mhix għolja. F'termini ta 'proprjetajiet elettriċi, SiC huwa semikonduttur, u l-introduzzjoni ta' ammont żgħir ta 'impuritajiet se turi konduttività tajba. Barra minn hekk, SiC għandu konduttività termali eċċellenti.
SiC għandu u Żewġ forom tal-kristall. － L-istruttura tal-kristall ta 'SiC hija sistema kubika, u Si u C jiffurmaw kannizzata kubi ċċentrata wiċċ rispettivament; － Hemm aktar minn 100 politipi ta 'SiC, bħal 4H, 15R u 6H, fosthom 6H polytype huwa l-aktar wieħed komuni fl-applikazzjoni industrijali. Hemm ċerta relazzjoni ta 'stabbiltà termali bejn diversi forom ta' SiC. Meta t-temperatura tkun inqas minn 1600 grad, SiC - SiC teżisti. Meta t-temperatura tkun ogħla minn 1600 grad, - SiC jittrasforma bil-mod fi - Diversi politipi ta 'SiC. 4H SiC huwa faċli biex tifforma madwar 2000 grad; Iż-żewġ politipi 15R u 6H huma faċli biex jiffurmaw f'temperatura għolja 'l fuq minn 2100 grad; Għal 6H SiC, huwa stabbli ħafna anke jekk it-temperatura taqbeż l-2200 grad. Id-differenza bejn l-enerġiji ħielsa ta 'diversi politipi fis-SiC hija żgħira ħafna. Għalhekk, is-soluzzjoni solida ta 'traċċa impuritajiet se tikkawża wkoll bidliet fir-relazzjoni ta' stabbiltà termali bejn il-politipi.
